TEES TEES RF MICROWAVE MILLIMETR FALE MM FALE WYSOKIEJ WYSOKIEJ CZĘŚCIOWE KONSTRUSICZNE KONSTRUMACJA BOSPASOWY

TEES TEES RF MICROWAVE MILLIMETR FALE MM FALE WYSOKIEJ WYSOKIEJ CZĘŚCIOWE KONSTRUSICZNE KONSTRUMACJA BOSPASOWY

Cechy:

Internet szerokopasmowy
Mały rozmiar

Zastosowania:

Telecom
Satcom
Test laboratoryjny
Oprzyrządowanie

Skontaktuj się teraz

Tee odchylenia RF jest urządzeniem, które zapewnia napięcie prądu lub odchylenia stronniczości dla urządzeń aktywnych, takich jak wzmacniacze, diody laserowe, fotodiody lub modulatory optyczne.

Jednocześnie umożliwiając przechodzenie przez szybkie i ultra szerokopasmowe sygnały z minimalnym tłumieniem sygnału. Niektóre urządzenia odchylające mogą przesyłać modulowane sygnały AISG razem poprzez zewnętrzną modulację LOC i demodulację, aby osiągnąć kontrolę.

Projektowanie urządzenia odchylającego musi wziąć pod uwagę wiele czynników i ogólnie musi spełniać kilka wymagań:

1. Stabilność: Tee stronniczość może utrzymać stabilność punktu pracy w różnych temperaturach, napięciach i innych środowiskach;
2. Liniowość: Tee odchylenia mikrofalowe zdolne do utrzymania liniowej zależności sygnału wyjściowego pod różnymi sygnałami wejściowymi;
3. Zużycie energii: w możliwie najwięcej zmniejszenia zużycia energii przy jednoczesnym zapewnieniu wydajności.

Tea odchylania fali milimetrowej są szeroko stosowane w różnych urządzeniach elektronicznych. Na przykład w przetwarzaniu sygnału audio niektóre obwody wymagają określonego napięcia odchylenia, aby zapewnić przepływ sygnału; W komunikacji bezprzewodowej koszulki fali MM są zwykle używane w obwodach modemowych; W obwodach wzmacniacza odchylenie służy do odchylenia regionu amplifikacji sygnału do skutecznego zakresu wzmocnienia wierności, unikając zniekształceń sygnału i poprawy stabilności.

Konsekwencje koncentryczne dostarczone przez QualWave Inc. obejmują dwie wersje: wersja standardowa i wersja High RF Power.

Najpierw wprowadzamy standardową wersję.
Zakres częstotliwości wynosi 50 kHz ~ 40 GHz.
Maksymalna moc RF wynosi 25 W.
Złącza zawierają cztery typy: SMA, PIN, 2,92 mm, N itp.
Różnicowy zakres strat wynosi od 0,7 do 3DB.
Zakres napięcia wynosi 0-50 V, a istnieją również opcje, takie jak 72 V i 100 V.
Wydajność wersji High RF Power jest również doskonała.
Zakres częstotliwości wynosi 5 MHz do 40 GHz.
Maksymalna moc RF wynosi 150 W.
Złącza obejmują SMA i 2,92 mm.
Różnicowy zakres strat wynosi od 0,5 do 1,2DDB.
Zakres napięcia wynosi 0-60 V.
Witamy klientów, aby komunikować się z nami na temat twoich potrzeb produktu.

Standardowa koszulka odchylenia
Numer części	Częstotliwość (GHz)	RF Power (W Max.)	Utrata wstawiania (DB Max.)	VSWR (Max.)	Napięcie (v)	Bieżący (a)	Stożkowy	Czas realizacji (tygodnie)
QBT-30K-26500	30K ～ 26,5	-	3	2.2	50	0,7	SMA	1 ~ 4
QBT-50K-18000	50K ～ 18	10	2	1.8	25	0,5	SMA, pin	1 ~ 4
QBT-50K-40000	50K ～ 40	10	3	2	25	0,5	2,92 mm, szpilka	1 ~ 4
QBT-0.1-6000	100k ～ 6	1	1.5	1.5	0 ~ 50	1	SMA, pin	1 ~ 4
QBT-0.5-2000	500K ～ 2	-	2	1,45	50	6.5	N	1 ~ 4
QBT-10-4200-N	0,01 ～ 4.2	5	0,8	1.25	72	2.5	N	1 ~ 4
QBT-10-5200-S.	0,01 ～ 5.2	5	0,8	1.25	72	2.5	SMA	1 ~ 4
QBT-10-40000	0,01 ～ 40	10	2.2	2	25	0,5	2,92 mm, szpilka	1 ~ 4
QBT-10-50000	0,01 ～ 50	2 (min.)	3	2	40	0,5	2,4 mm, SMB	1 ~ 4
QBT-100-6000-S	0,1 ～ 6	1	1.5	1.5	50	0,5	SMA	1 ~ 4
QBT-100-18000-S.	0,1 ～ 18	10	1.8 (typ.)	1.6 (typ.)	50	0,7	SMA	1 ~ 4
QBT-100-26500-S.	0,1 ～ 26,5	10	2 (typ.)	1.8 (typ.)	50	0,7	SMA	1 ~ 4
QBT-200-12000-S.	0,2 ～ 12	10	0,6	1.8	0 ~ 36	0.14@36v	SMA	1 ~ 4
QBT-1000-44000	1 ～ 44	20	5	1.8 (typ.)	16	2	2,92 mm, SMA	1 ~ 4
QBT-18000-40000	18 ～ 40	-	2	2	10	0,3	2,92 mm	1 ~ 4
QBT-24900-25100	24,9 ～ 25.1	1	0,8	2	9 ~ 30	0.03@30v, 0.11@9v	2,92 mm	1 ~ 4

Tee wysokiej mocy RF
Numer części	Częstotliwość (GHz)	RF Power (W Max.)	Utrata wstawiania (DB Max.)	VSWR (Max.)	Napięcie (v)	Bieżący (a)	Stożkowy	Czas realizacji (tygodnie)
QBTP-5-700-S	0,005 ～ 0,7	150	0,5	1.8	0 ~ 48	3.13@48v	SMA	1 ~ 4
QBTP-10-8000	0,01 ～ 8	100	1.5 (typ.)	1.5 (typ.)	100	2.5	SMA, N, Pin	1 ~ 4
QBTP-10-12000	0,01 ～ 12	100	2 (typ.)	1.5 (typ.)	100	2.5	SMA, N, Pin	1 ~ 4
QBTP-100-8000-S.	0,1 ～ 8	50	0,6	1.3	0 ~ 40	1.25	SMA	1 ~ 4
QBTP-9000-11000-S.	9 ～ 11	50	0,5	2	28	2	SMA	1 ~ 4
QBTP-18000-40000-K	18 ～ 40	30	1.2	2	50	1	2,92 mm	1 ~ 4
QBTP-18000-40000-K-1	18 ～ 40	60	1.2	2	60	1	2,92 mm, SMA	1 ~ 4

Tee kriogeniczna
Numer części	Częstotliwość (GHz)	RF Power (W Max.)	Utrata wstawiania (DB Max.)	VSWR (Max.)	Napięcie (v)	Bieżący (a)	Stożkowy	Czas realizacji (tygodnie)
QCBT-100-1000	0,1 ~ 1	-	0,15	-	-	-	SMA	1 ~ 4